AU1PM-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 1 A
Composants électroniques
MBRF20060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBRT30A100CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH61W04SW · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 60 A
MBRF30045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SMMSD301T1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 10 MA
MBRF60080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-85EPF12 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 85 A
MBRF20040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
IDH06G65C5XKSA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 110 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 6 A
RB088T150FH · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
GL41Y-E3/96 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
MBRF60045R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
NTE5880 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.26 V @ 38 A
MBRF30035 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STBR3008WY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 30 A
PMEG2010AET · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 1 A
MBRF20030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C