NTE5911 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.23 V @ 50 A
Composants électroniques
MBRTA60030RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SK5200AFL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 5 A
FST7335M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 35A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
IDW16G65C5XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 16 A
MBRF60040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
NTE5828 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 50 A
MBRF50045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STPS1L30U · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 395 MV @ 1 A
FST6380M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6058 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 20 MA
MBRF60030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
RFN1LAM6STFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 800 MA
MBRF40080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SCS312AMC · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 12 A
MBRTA60020RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRD5100 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 5 A
FST6335M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C