PMEG3002ESFYL · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 535 MV @ 200 MA
Composants électroniques
NSVR02HL40MX2WT5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
SE15PJHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1.5 A
MAX908CSD+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 4 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 300 NA
SS14MH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
SK13F_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
SE15PD-M3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 1.5 A
ES1GL · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
ES1DH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
HS1DFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
HS1KFS · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
SS2FH10-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 2 A
BR210_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
SBM54ALAFC_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 210 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 540 MV @ 5 A
S2JHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
RS1PGHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
ADCMP564BRQZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Analog Devices
- Courant d’alimentation
- 23 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 3 UA
S1MSWFQ-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A