SS320LW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
Composants électroniques
HRU0103CTRF-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
AS1FD-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
SS1FL4HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
S2M-F080 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2 A
BYG21MH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1.5 A
MSS1P2LHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
V2NM63HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 2 A
MCP6543-E/MS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
S07D-M-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SS110FL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 1 A
SS25S-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 2 A
PMEG40T20ER-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 22 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 515 MV @ 2 A
LM393SNG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Type de comparateur
- Usage général
- Conditionnement
- Tube
TSD2G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
MCP6549-E/ST · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
S5AL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 5 A
RB162L-40TE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A