S1KHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
Composants électroniques
RS1PBHM3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
VS-2ENH01-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 2 A
S1JB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
AS1FG-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
U1C-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
SURA8205T3G-VF01 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 940 MV @ 2 A
MER2DMB_R2_00601 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
PD3SD2580-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
BR26_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
SS23 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
S2GAF-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 2 A
VS-1EAH02HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A
CD123D-B140R · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 1 A
PMEG100T20ELXD-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 600 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 2 A
UG1C-M3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
PMEG60T10ELRX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 650 NA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
CD123D-B140LR · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 380 MV @ 1 A