SA5534AP · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
Produits
VFT2080S-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 700 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 20 A
MCP6442T-E/MNY · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.003 V/µs
BYM36D-TAP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.78 V @ 3 A
SD125SB45A.T2 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 640 MV @ 15 A
VS-8ETL06STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 8 A
TL052CD · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 20.7 V/µs
MBR6200_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 6 A
OPA373AIDBVR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 5 V/µs
VS-8ETL06S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 8 A
V20K170-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 170 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.02 V @ 20 A
NSB8MT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A
TSU101ICT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.003 V/µs
VS-50WQ03FNTRRHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 460 MV @ 5 A
MCP6282-E/MS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 2.5 V/µs
CMSH3-100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 3 A
S12KC · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 12 A
QRT10A06D_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.4 V @ 10 A