LMV824AIYDT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 1.9 V/µs
Produits
AU2PGHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.9 V @ 2 A
TL084QD · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- J-FET
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
AR3PJHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
AR3PDHM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
1N5417-TAP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
LMH6654MAX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Contre-réaction en tension
- Vitesse de balayage
- 200 V/µs
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 1 A
LM248DT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
V30KM120HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 700 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 30 A
V10P22HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 10 A
S2JA · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1.5 A
VT1080S-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 600 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 10 A
NE5534D · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 13 V/µs
VT1045BP-M3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 10 A
LM348MX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type d’amplificateur
- Usage général
- Vitesse de balayage
- 0.5 V/µs
V30K150-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 30 A
V30KM100-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 30 A