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NSB8MT-E3/45
NSB8MT-E3/45 · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- NSB8MT-E3/45
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 1.1 V @ 8 A
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Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | NSB8 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 1.1 V @ 8 A |
| Capacité à Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| Technologie | Standard |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 1000 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 8A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier indiqué par le fabricant | –-263AB (D²PAK) |
| Boîtier | Tube |
Aucun paramètre correspondant
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Description
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel