1N6625US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 1 A
Produits
JANTX1N6629 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 880 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
JANTX1N6622US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
JANTX1N6624US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 990 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
1N6627U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 4 A
JANTX1N6620US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 220 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
BU7294SF-E2 · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Courant d’alimentation
- 2000 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
JANTX1N6624U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 900 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
JANTXV1N5187/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
AS324GTR-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
JANTX1N6623U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
JANTXV1N5188 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
VS-86HF100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 267 A
VS-71HFR140 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4.5 MA @ 1400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.46 V @ 220 A
VS-85HFLR60S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 266.9 A
JANTX1N6621US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
JANTX1N6621US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
JAN1N6074 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A