JANTX1N6074 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A
Produits
VS-85HFL80S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 266.9 A
JANTX1N5190/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
TLV2404ID · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 880 NA
- Courant de polarisation d’entrée
- 300 PA
JANTXV1N5623US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
VS-86HF120 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 9 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 267 A
JAN1N6625US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 1 A
JANTXV1N5553/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 9 A
VS-85HFLR100S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 266.9 A
JANTXV1N5553 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 9 A
JAN1N6622US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
VS-85HFL40S05 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 266.9 A
JANTXV1N5552US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
1N6075/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A
JAN1N6626U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JAN1N6073 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A
JAN1N6625U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 1 A
MP5121DJ-LF-Z · Composants électroniques
- Fabricant
- MPS,Monolithic Power Systems
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine