JANTXV1N5550US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
Produits
JANTXV1N5190 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
UES1105E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
UES1103E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2 A
JANTX1N6623 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 880 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.55 V @ 1 A
JANTXV1N5417US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTXV1N5419US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTX1N6621/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
JANTX1N6621U · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
1N6073/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A
1N6642UBD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5621US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
JANTXV1N5620US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
JANTXV1N5550US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 9 A
JANTXV1N5620US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
BU7481SG-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine