R20 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
Produits
BU7444F-E2 · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
MIL-PRF-19500/444 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 16 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 35 MA
30FQ045 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 30 A
JANTX1N3671AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
VS-SD303C10S10C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.26 V @ 1100 A
JAN1N1204A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
30FQ035 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 30 A
JANS1N5617US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
1N5812 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
VS-SD400C12C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.86 V @ 1930 A
MBRH120200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 120 A
MBRH12080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 120 A
VS-SD300C16C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.08 V @ 1500 A
MBRH12045R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 120 A
UFT3150A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 15 A
MBRH12030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 120 A
USD245C · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C