MBRH120100R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 120 A
Produits
1N5816 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
UFR3120PF · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 30 A
JANTXV1N5712UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 16 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 35 MA
JANTX1N1190 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1615R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 15 A
1N5816E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
MBRH120200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 120 A
UES1106HR2/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 50 Ns
1N5820/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
MCP6H74T-E/ST · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine
1N5814 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
MBRH12080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 120 A
1N5820 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
MBRH120150 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 120 A
MBRH12045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 120 A
JANS1N5621/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
