SMD34HE1-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 3 A
Componentes electrónicos
BAW101S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SCS320AHGC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 650 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
1S953-T1-AZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
ES1E_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1 A
SB01-05C-TB-EX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
VS-HFA16PB120-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3 V @ 16 A
BAV23AQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 400mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
STPSC10H12D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 60 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 10 A
BAW56M3T5G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RBE1VAM20ATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD3004SE · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SS24SHE3_B/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1S953-T2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
APT100S20BG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 100 A
BAS70TWQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
1SS55-T4-AZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)