BAT54AHYT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
Componentes electrónicos
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 1 A
BAW56UE6327 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
VS-2EMH01-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 1A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MMSD4148T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
SB007T03C-TB-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BAS20LT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
1S954-TB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SDT5A50SA-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 5 A
1S953-TB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
1N4149TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 25 NA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SB01W05C-TB-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SS25SHE3_B/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 50 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1S953-T1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
PD3S140Q-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A
1S2076ATD-E-Q · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel