IDH10G65C6XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 33 µA @ 420 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 10 A
Componentes electrónicos
1S953-TB-AZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
1N4154 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NTE Electronics, Inc
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 75 A
MMBD1503A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rectron USA
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
B340AXF-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
BAV23A-QR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
APT75DQ120BG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.1 V @ 75 A
M1MA151WKT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SA2J-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
MMBD3004CA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1N649-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
MMBD3004A_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RBQ30TB45BNZC9 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 590 MV @ 30 A
BAS7006B5003 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
B360AF-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 3 A
QSG0115UDJ-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C