S1B-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Componentes electrónicos
2V85-BAV23S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
S4D40120H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 40 A
M20H90CTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
S3KB-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 3 A
NRVTSB40200CTT4G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS40WQ-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
MBR4015CTLH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BR28_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 2 A
DD260N18KHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 260A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
FFSH20120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 20 A
MBRF2060CTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
RB461FMT106 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 490 MV @ 700 MA
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
C4D08120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Wolfspeed, Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 7.5 A
BAS21W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 100 MA
DD260N12KAHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 260A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
AS1FJ-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A