ERT1AAFC_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
Componentes electrónicos
VBT3045CHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
FS1JFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
NTST30U100CTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
VS-T85HFL100S05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 MA @ 1000 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 500 Ns
VB60100CHE3/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MER1DMB_R2_00601 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
BAV99FT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
VS-T40HFL100S05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 500 Ns
VB20100CHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
US1GFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1 A
MBRP3045NTU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
S1K-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VB20M120CHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
IDWD40G120C5XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 332 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.65 V @ 40 A
SDMP0340LCT-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Encapsulado / carcasa
- Cinta cortada (CT)
STPST1H100AF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.7 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 725 MV @ 1 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)