DD260N12KKHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 260A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
Componentes electrónicos
C4D05120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Wolfspeed, Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 5 A
MBRF10150CTC0 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ER2GBFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
MBR2545CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SCS310AMC · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 10 A
DD350N12KKHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 350A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
SBR3U60P1Q-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
DD171N12KKHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 171A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
BAS21E6433HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBR20100CTC0 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-APH3006-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.65 V @ 30 A
MBRF10200CTC0 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-1EAH02-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 970 MV @ 1 A
DD800S33K2CNOSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.5 V @ 800 A
BAS16WH6433XTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
DD600N16KAHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
1N5804 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A