PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
BUK7K6R8-40E,115
BUK7K6R8-40E,115 · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- BUK7K6R8-40E,115
- Tensión drenador-fuente (Vdss):
- 40V
- Corriente continua de drenador (Id):
- 40A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 40V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 40A |
| Potencia disipada (Pd) | 64W |
| Tensión umbral (Vgs(th)) | 4V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 1.46nF |
| Tipo | Canal N |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 4
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| Product Model | BUK7K6R8-40E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 9.1nC@20V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Ver original en inglés
A dual-channel standard-level N-channel MOSFET utilising TrenchMOS technology, packaged in LFPAK56D (dual Power-SO8). This product has been designed and certified to AEC Q101 standards, making it suitable for high-performance automotive applications.
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- Frecuencia de reloj (fc)
- 400kHz