PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- PDTC114ET,215
- Número de parte:
- PDTC114ET,215
- Tensión de ruptura colector-emisor (Vceo):
- 50V
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Número de parte | PDTC114ET,215 |
| Tensión de ruptura colector-emisor (Vceo) | 50V |
| Corriente de colector (Ic) | 100mA |
| Potencia disipada (Pd) | 250mW |
| Tipo de transistor | NPN |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 30 |
| Temperatura de funcionamiento | -65℃ – +150℃ |
| Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) | 100mV |
| Frecuencia de transición (fT) | 230MHz |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 6
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Ver original en inglés
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
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- 400kHz