PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
NX7002BKR
NX7002BKR · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- NX7002BKR
- Número de parte:
- NX7002BKR
- Tensión drenador-fuente (Vdss):
- 60V
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Número de parte | NX7002BKR |
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 60V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 270mA |
| Resistencia en conducción (RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| Potencia disipada (Pd) | 310mW |
| Tensión umbral (Vgs(th)) | 2.1V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 23.6pF |
| Temperatura de funcionamiento | -55℃ – +150℃ |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 2
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| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 1nC@10V |
Descripción
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Ver original en inglés
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
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- 400kHz