PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 60V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 34A |
| Potencia disipada (Pd) | 65W |
| Tensión umbral (Vgs(th)) | 2.1V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C – +175°C |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
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| Product Model | BUK9Y25-60E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 21.5mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17.2nC@5V |
| Input Capacitance (Ciss) | 12nC@5V |
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.