PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
BUK9K35-60E,115
BUK9K35-60E,115 · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- BUK9K35-60E,115
- Tensión drenador-fuente (Vdss):
- 60V
- Corriente continua de drenador (Id):
- 22A
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tensión drenador-fuente (Vdss) | 60V |
| Corriente continua de drenador (Id) | 22A |
| Potencia disipada (Pd) | 38W |
| Tensión umbral (Vgs(th)) | 2.1V |
| Carga de puerta (Qg) | 7.8 NC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 1.081 NF |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C – +175°C |
| Tipo | Canal N |
| Capacitancia de salida (Coss) | 118 PF |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 2
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| Product Model | BUK9K35-60E,115 |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 35mΩ@5V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Ver original en inglés
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
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- 400kHz