PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
BC857B-QR
BC857B-QR · Diodos y transistores
Información del producto
- Número de parte:
- BC857B-QR
- Tipo de transistor:
- PNP
- Corriente de colector (Ic):
- 100mA
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de transistor | PNP |
| Corriente de colector (Ic) | 100mA |
| Tensión de ruptura colector-emisor (Vceo) | 65V |
| Potencia disipada (Pd) | 250mW |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 125 |
| Frecuencia de transición (fT) | 100MHz |
| Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) | 250mV |
| Temperatura de funcionamiento | -65℃ – +150℃ |
| Tensión de ruptura emisor-base (Vebo) | 5V |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 3
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| Product Model | BC857B-QR |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 15nA |
Descripción
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