PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de transistor | NPN |
| Corriente de colector (Ic) | 100mA |
| Tensión de ruptura colector-emisor (Vceo) | 65V |
| Potencia disipada (Pd) | 250mW |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 200 |
| Frecuencia de transición (fT) | 100MHz |
| Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) | 200mV |
| Temperatura de funcionamiento | -65℃ – +150℃ |
| Tensión de ruptura emisor-base (Vebo) | 6V |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Product Model | BC846B,215 |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 100nA |
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.