PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- Qorvo
- Número de parte:
- UJ3N065080K3S
- Tipo de FET:
- Canal N
- Potencia máxima:
- 190 W
Solicitar cotización
El precio, la disponibilidad y la entrega se confirman en la cotización.
Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Qorvo |
| Referencia base | UJ3N065080 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Potencia máxima | 190 W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
| Encapsulado del fabricante | –-247-3 |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 5
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 650 V |
|---|---|
| Current Drain (Id) - Max | 32 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 100V |
| Resistance - RDS(On) | 95 MOhms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
Solicitar cotización
Componentes seleccionados
Todos los productos
PMV48XPAR · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMV48XPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss)
- 20V
PMV100EPAR · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMV100EPAR
- Tensión drenador-fuente (Vdss)
- 60V
24AA02/SN · Diodos y transistores
- Número de parte
- 24AA02/SN
- Frecuencia de reloj (fc)
- 400kHz