PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Serie | VCR11N |
| Fabricante | Linear Integrated Systems, Inc. |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Potencia máxima | 300 MW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | –-71 |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
|---|---|
| Resistance - RDS(On) | 200 Ohms |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 8 V @ 1 µA |
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.