PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Serie | IFN160 |
| Fabricante | InterFET |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Potencia máxima | 350 MW |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) |
| Encapsulado del fabricante | SOT-23-3 |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 600 MV @ 10 µA |
|---|---|
| Resistance - RDS(On) | 440 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 50 V |
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