PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Onsemi |
| Referencia base | 2SK715 |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
| Potencia máxima | 300 MW |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | 3-SPA |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7.3 MA @ 5 V |
|---|---|
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 600 MV @ 100 µA |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 15 V |
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.