PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
IJW120R100T1FKSA1
IJW120R100T1FKSA1 · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Número de parte:
- IJW120R100T1FKSA1
- Tipo de FET:
- Canal N
- Potencia máxima:
- 190 W
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Serie | CoolSiC™ |
| Fabricante | Infineon Technologies |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Potencia máxima | 190 W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | PG-TO247-3 |
| Encapsulado / carcasa | Tubo |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 6
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 26 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 19.5V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 100 MOhms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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- 400kHz