PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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Solicitar cotizaciónMismo modelo · parámetros coherentes
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Central Semiconductor Corp |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Potencia máxima | 1.8 W |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 MA @ 20 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 500 MV @ 1 NA |
| Supplier Device Package | Die |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14pF @ 20V |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Package / Case | Tray |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
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