PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
2N5116
2N5116 · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- Solid State Inc.
- Número de parte:
- 2N5116
- Tipo de FET:
- Canal P
- Potencia máxima:
- 500 MW
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Solid State Inc. |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal P |
| Potencia máxima | 500 MW |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje pasante |
| Encapsulado del fabricante | –-18 |
| Encapsulado / carcasa | A granel |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 3
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Resistance - RDS(On) | 150 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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- 400kHz