PMEG4010EH,115 · Diodos y transistores
- Número de parte
- PMEG4010EH,115
- Corriente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Productos
2SK208-O(TE85L
2SK208-O(TE85L · Diodos y transistores
Información del producto
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Número de parte:
- 2SK208-O(TE85L
- Tipo de FET:
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento:
- 125°C (TJ)
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Solicitar cotizaciónEspecificaciones técnicas
Mismo modelo · parámetros coherentes
Identificación del componente
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Categoría | Componentes semiconductores discretos Transistores Transistores JFET |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor And Storage |
| Referencia base | 2SK208 |
Características eléctricas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de FET | Canal N |
| Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
| Potencia máxima | 100 MW |
Encapsulado y mecánica
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Encapsulado del fabricante | SC-59 |
| Encapsulado / carcasa | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) |
No hay parámetros coincidentes
Los parámetros corresponden a este modelo. Confirme el encapsulado y las condiciones de prueba en la ficha del fabricante.
Campos de origen · inglés · 5
Algunos campos aún requieren traducción y se muestran por separado en inglés.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 50 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 600 µA @ 10 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 400 MV @ 100 NA |
| Current Drain (Id) - Max | 6.5 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Descripción
La descripción localizada aún no está disponible. A continuación se muestran los parámetros de este modelo.
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