JAN1N5301-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5291-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5298-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5308-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJAN1N5307UR-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCDLL5312 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
JAN1N5309-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
CD5287 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMJ2700 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5306-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5309-1E3/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMJ1500 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 150°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5292-1/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5314-1E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5309-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5312/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
JAN1N5287-1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-65°C ~ 175°C (TJ) ขอใบเสนอราคา
1N5296/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์ผู้ผลิตMicrochip Technologyแรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak)100Vอุณหภูมิการทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา