IFN201ST3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- InterFET
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
IFN202ST3TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- InterFET
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5912C · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5912C · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS830 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
LS5911 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS840 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 400 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J310 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4117 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
LSK389BSOIC8LTB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 400 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS3954A · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 400 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LSK489B · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Linear Integrated Systems, Inc.
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)