MX2N5114UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
PN4391_D75Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2SK3666-3-TB-E · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 200 MW
J113_D75Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4859UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
FJZ594JBTF · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2SK3372GUL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -20°C ~ 80°C (TA)
MX2N5114UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
PN4092_D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
FJX597JCTF · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2SK2593GQL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 125°C (TJ)
2N4856UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
P1086 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MQ2N4091UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW