2N4118A-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
ไดโอดและทรานซิสเตอร์
2N4860 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
J175_D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4117A-2 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
JFE150DBVT · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J174 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PMBFJ113 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
MQ2N2608UB · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 300 MW
MMBFJ177 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4858U · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
TF208TH-5-TL-H · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2SK3372GTL · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -20°C ~ 80°C (TA)
MV2N5116UB/TR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW