BAS16LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
MBR60040CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N2056R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MSC2X51SDA170J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุในหลอด
1N1663R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
1N1661R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MD165A16D2-BP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 165A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
1N2054R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MBRT30040R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N2055 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
DDB6U144N16RBOSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.65 V @ 150 A
1N2061R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MBR40040CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N1666R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 500 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MBRT30035R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N1665 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
MBR30035CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N2064R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A