S310FA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 3 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
STTH4R02S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.05 V @ 4 A
MBR20150CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
MBRS360BT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 630 MV @ 3 A
MUR2040FCT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
VS-2EJH02HM3/6B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 930 MV @ 2 A
MUR2020CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
STPS340U · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 630 MV @ 3 A
MBR10100DC_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
NRVTS245ESFT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 2 A
BAS40-04 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
MBRM130LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 410 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 380 MV @ 1 A
MUR2040CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
NRVUA160VT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
MMBD7000 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 500mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
MBR140SFT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 1 A
BAV23C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Good-Ark Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
STPS120M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3.9 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 490 MV @ 1 A