ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSVT12120U_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr25 µA @ 120 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If790 MV @ 12 A ขอใบเสนอราคา
BAT54C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
VS-2EYH01HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If930 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
BAT54C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltdกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSVM1560U_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr320 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If560 MV @ 15 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N7037CCU1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด35Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
HS3FB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
BAW56 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด215mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSD530YS_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-VSKH320-16PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด160Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMR3-10 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
BAV99-C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°Cแรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)70 V ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF1001_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 10 A ขอใบเสนอราคา
DZ3600S17K3B2NOSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตInfineon Technologiesอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 125°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.2 V @ 3600 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRS1KFA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 800 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMURTA60040R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด300Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR1040_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If700 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSCDC450A170AG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด450Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา