BAT54CW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
STTH110 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
BAV99W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
PMEG3020EPASX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2.5 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 470 MV @ 2 A
BAT54A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
6A8G-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 6 A
BAV99L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)
- 100 V
PMEG6030EP/8X · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 530 MV @ 3 A
DD250S65K3C1NPSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 125°C
ES5J-T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 5 A
DD250S65K3NOSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 125°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.5 V @ 250 A
BYR5D-1200PJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.2 V @ 5 A
MSCDC450A120AG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 450A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
VS-2EYH02HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 930 MV @ 2 A
DD175N32KHPSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 223A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
V10P8-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 800 µA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 680 MV @ 10 A
JANTXV1N7037CCU1/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 35A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
RGL34J-E3/98 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 500 MA