ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV10PN50-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.5 MA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
SK20100CD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS2P4HM3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr150 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
SK2060CD2-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBRT20U60SP5-13D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr400 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If530 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
G3S06512B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGlobal Power Technology-GPTกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด27A (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPMEG3020EH-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If620 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
MBR10200CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-4EWH02FNTRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr3 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 4 A ขอใบเสนอราคา
SBCT1050 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF4007-M3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
SBCT2020 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
RS1KAL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
SBCT1030 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ES3FHE3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
30CTQ035S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTPS1H100AF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr4 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If770 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
30CTQ045 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา