G3S12030B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 42A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
S2JFS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
SK2050CD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 150°C
RB450FT106 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 10 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 10 MA
G3S06508B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 14A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SD840YS_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 8 A
S16DSD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 150°C
BD890YS_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 90 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 8 A
DBA200WA60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SanRex Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
GF1B-E3/5CA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
S16GSD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 150°C
1N5819 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 1 A
G3S12010BM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 19.8A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
BD850YS_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 8 A
S16ASD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 150°C
RBR1VWM30ATR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 480 MV @ 1 A
BD850YS_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 8 A
SK3045CD2-3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -50°C ~ 150°C