GP10-4005-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- เทคโนโลยี
- มาตรฐาน
- แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)
- 600 V
สินค้า
APT2X100D40J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
GP08G-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 800 MA
JAN1N4148UBCCC · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 1A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
WNSC2D10650BJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 10 A
APT2X60D40J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 60 A
EGP10A-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 1 A
JANTXV1N4148UBCA/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
PSDP0860L1_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.8 V @ 8 A
VS-VSKC56/08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
1N3957GP-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
GSXD060A020S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
PSDB0860S1_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.3 V @ 8 A
JANTXV1N4148UBCCC/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 1A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
SBR3U60P5Q-13D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 620 MV @ 3 A
DMA200YC1600NA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
VS-E5TW1506FP-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.8 V @ 15 A
JAN1N4148UBD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C