APT15D120KG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.5 V @ 15 A
สินค้า
GSXF060A120S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
RMPG06D-E3/100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
APT2X100D100J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 95A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
APT2X31D20J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 30 A
CMSH3-40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
GSXD080A012S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
VS-3C06ET07S2L-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 6 A
1N4247GP-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 1 A
MSRT150120A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SFAF1008G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 10 A
GSXD080A018S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
BYC20X-600PQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.5 V @ 20 A
1N4148UBCA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
GP10B-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
MDD72-14N1B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 113A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
FFSD0865A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.75 V @ 8 A
GSXD080A008S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C