MBR2X120A200 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 120A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
Электронные компоненты
USB260-M3/5BT · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.6 V @ 2 A
161CMQ045 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 80A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 175°C
PCDP2065G1_T0_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 120 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X080A150 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 80A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
SK54C · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 550 MV @ 5 A
CDLL5711/TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 200 NA @ 50 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 15 MA
MBR2X060A150 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 60A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
MBR2X120A100 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 120A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
S8KC · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 800 V
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
MBR2X060A060 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 60A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
AU1PMHM3/85A · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.85 V @ 1 A
MSRT20060A · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A (DC)
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 175°C
JANTXV1N5806US · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 875 MV @ 1 A
160CMQ035 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 80A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
AU1PDHM3/85A · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 1 A
225CNQ015 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 110A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
VS-3C20ET07T-M3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 20 A