JANTXV1N4148UBD · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 200°C
Электронные компоненты
RS1BLHR3G · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 800 MA
MSRT150100AD · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 150A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
BAT54QCZ · Электронные компоненты
- Производитель
- Nexperia USA Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 2 µA @ 25 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 800 MV @ 100 MA
GSXD120A010S1-D3 · Электронные компоненты
- Производитель
- SemiQ
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 120A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
RB021VA90TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 900 µA @ 90 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 490 MV @ 200 MA
MBR2X100A200 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
1N4045 · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 15 MA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 300 A
ES2CHE3_A/H · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 50 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 900 MV @ 2 A
300CNQ035 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 150A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
MBR2X100A120 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
NDSH50120C · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.75 V @ 50 A
MUR2X030A04 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 30A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 175°C
· Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.25 V @ 1.5 A
MSRT250160A · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 250A (DC)
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
PCDP20120G1_T0_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X100A080 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 150°C
1N5822H · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 525 MV @ 3 A