Продукция
BSS138BK,215
BSS138BK,215 · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- BSS138BK,215
- Артикул:
- BSS138BK,215
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 60V
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | BSS138BK,215 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Постоянный ток стока (Id) | 360mA |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Пороговое напряжение (Vgs(th)) | 1.6V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 56pF |
| Рабочая температура | -55℃ – +150℃ |
| Тип | N-канал |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 2
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 700pC@4.5V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
An N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 (TO-236AB) surface-mount device (SMD) plastic package.
