Продукция
PMV100EPAR
PMV100EPAR · Диоды и транзисторы
Информация о продукте
- Артикул:
- PMV100EPAR
- Артикул:
- PMV100EPAR
- Напряжение сток-исток (Vdss):
- 60V
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | PMV100EPAR |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Постоянный ток стока (Id) | 2.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 8.3W |
| Входная ёмкость (Ciss) | 616pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 26pF |
| Рабочая температура | -55℃ – +175℃ |
| Тип | P-канал |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 3
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Открыть английский оригинал
A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
Запросить цену
Выбранные компоненты
Вся продукция
PESD2CANFD36VT-QR · Диоды и транзисторы
- Артикул
- PESD2CANFD36VT-QR
- Напряжение ограничения
- 45V